4月12日，台积电与三星在3nm制程的竞争激烈吸引全球半导体业界关注。据报道，台积电3nm制程近期取得重大突破，之前因开发延误导致苹果新一代处理器仍采用5nm N4P版本。
台积电决定今年率先量产第二版3nm制程N3B，将于今年8月在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片。这将是鳍式场效晶体管（FinFET）架构的首次应用，对抗三星的环绕闸极（GAA）制程。
IT之家之前报道称，台积电子计划在今年晚些时候开始生产“N3B”变体。初始产量预计每月为4万至5万片。“N3B”之后，将会推出被称为“N3E”的高级变体，预计将在2023年投入生产。
此举标志着台积电对抗三星并保护其市场地位的一大步。此外，这也显示了公司对于环境保护意识的提升，不断追求更高效能和绿色制造技术。
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