台积电3nm量产碳足迹大减8月份正式切片低碳生活

4月12日,台积电与三星在3nm制程的竞争激烈吸引全球半导体业界关注。据台《联合报》报道,尽管开发时程曾经延误,使得苹果新一代处理器仍旧使用5nm加强版N4P,但近期台积电3nm制程取得了重大突破。

此次突破意味着台积电将率先量产第二版3nm制程N3B,并计划于今年8月份在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片。这将是对抗三星环绕闸极(GAA)制程的鳍式场效晶体管(FinFET)架构的一大挑战。

IT之家之前报道称,消息指出台积电的3nm制造工艺预计将在今年晚些时候投入生产。具体来说,这个被称为“N3B”的初步版本预计每月可生产4万至5万片。而之后不久,就会有一个被称为“N3E”的更高级别变体,在2023年进入市场。

对于这次重要的技术进展,行业内外都充满期待。一方面,它标志着半导体产业向更小尺寸、更高性能和低能耗方向迈出了一大步;另一方面,也反映了两巨头之间技术竞赛的紧张局势。不过,无论结果如何,这场竞争最终都会惠及消费者,因为它们推动了设备更加先进、功能更加丰富和价格更加合理。

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